每日农经养驴视频:内存DDR与SDR除了接口不同,在别的上面还有什么区别?

来源:百度文库 编辑:高校问答 时间:2024/03/28 18:43:50
我攒机子是DDR的好还是SDR的好呢?

DDR最高频率是400MHZ而SDR是133,SDR已经淘汰了,市场上的都是二手的,建议你攒机用DDR-2,速度快,频率高,现在主流的是533.高的还有677,800.DDR-2的接口是PCI-E,是现在的主流

sd 从66-85-100-133 最后有PC-150的一些厂家自己规定的频率,DDR从266-333-400,从频率上讲就已经是一倍了。

当然是DDR了,现在见不到SDR了

1.首先回答一下DDR和SDR的区别。
传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输,而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输,所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量,这也是DDR的意义——Double Data Rate,双倍数据速率。举例来说,DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽,而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。

一般的内存条会注明CL值,此数值越低表明内存的数据读取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。

DDR
DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(现在被称为SDR)与标准DRAM有所不同。

标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚,采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通(RAS)锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后,列地址选通(CAS)锁存第二地址字。经过RAS和CAS,存储的数据可以被读取。

同步动态随机存储器(SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成,RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示,可以预测数据和剩余指令的位置。因而,数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性,所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式,可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。

DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同,只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz,与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。

SDR
DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写,译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲,同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机),利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现,还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上,它类似常规的DRAM,且也需时钟进行刷新。可以说,SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

2.接下来回答什么你的内存bank交错的意思
内存检查显示bank交错4路是你的主板支持Bank交错,内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟信号能够交错出现,这可以实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写,这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。而且在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下,内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据,从而产生一种流水线操作的效果,提高了SDRAM内存的带宽。因此,有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。
??不过,内存交错是一个比较高级的内存设置选项,有一些采用VIA 694X芯片组的主板由于BIOS版本较旧,可能没有该设置项,这时可以升级主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出现该设置项,那就只有通过某些VIA芯片组内存BANK交错开启软件,如WPCREdit和相应的插件(可以从“驱动之家”网站下载)来修改北桥芯片的寄存器,从而打开内存交错模式。

3.2-3-3-6的含义
这个是你的内存时序,标准写法是CL-tRCD-tRP-tRAS,这几个符号的含义分别是:CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的时间”,
tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间”,
tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”
tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”。

最后如果你要买一条一样的内存只要记着购买相同品牌,相同频率也就是DDR400还是DDR333,一般来说没有太大问题。

DDR是Double Data Rate的缩写(双倍数据速率),DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据(SDRAM只能通过下行传输),因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins,而SDRAM则是168pins。因此,DDR内存不向后兼容SDRAM。
传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输,而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输,所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量,这也是DDR的意义——Double Data Rate,双倍数据速率。举例来说,DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽,而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。
一般的内存条会注明CL值,此数值越低表明内存的数据读取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。

DDR
DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(现在被称为SDR)与标准DRAM有所不同。
标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚,采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通(RAS)锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后,列地址选通(CAS)锁存第二地址字。经过RAS和CAS,存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器(SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成,RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示,可以预测数据和剩余指令的位置。因而,数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性,所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式,可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。
DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同,只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz,与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。

SDR
DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写,译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲,同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机),利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现,还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上,它类似常规的DRAM,且也需时钟进行刷新。可以说,SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。