在手指上纹身:谁知道有关有机半导体的知识?

帮你找了几篇类似综述一样的文章，要的话联系我吧（点我可见）。

　　【篇名】 有机半导体研究进展 CAJ原文下载 PDF原文下载
　　【作者】 袁仁宽. 沈今楷. 孔凡.
　　【刊名】 固体电子学研究与进展 2003年01期 编辑部Email
　　《中文核心期刊要目总览》来源期刊 “中国期刊方阵”入选期刊 ASPT来源刊 CJFD收录期刊
　　【机构】 南京大学物理系. 南京大学物理系 210093 .
　　【关键词】 有机半导体. 有机发光二极管. 聚合物半导体. 有机晶体. 孤子.
　　【聚类检索】 同类文献 引用文献 被引用文献
　　【摘要】 1977年人们发现通过掺杂可以使聚乙炔膜的电导率提高 1 2个量级 ,由绝缘体变成导体 ,从此掀起了有机半导体的研究热潮。其研究工作包括有机高分子材料、有机小分子材料和有机分子晶体材料的电学、光学等性质。有机半导体中的载流子除了电子和空穴外 ,还有孤子、极化子等。人们已经获得低温迁移率高达 1 0 5cm2 /V.s的高质量有机半导体晶体 ,在其中观察到量子霍尔效应 ,并用其制成有机半导体激光器。如今有机半导体彩色显示屏已进入实用阶段。
　　【光盘号】 INFO0306

　　【篇名】 有机半导体:无限的可能 CAJ原文下载 PDF原文下载
　　【刊名】 现代制造 2005年24期 编辑部Email
　　CJFD收录期刊
　　【聚类检索】 同类文献 引用文献 被引用文献
　　【摘要】 有机半导体能够支持一些全新的电子设备,从计算机制衣到可折叠显示器等,都具有很大的发展潜力。有机半导体预示着新一代显示器,标签和油墨的到来。
　　【光盘号】 SCTC0512S2

　　【篇名】 有机半导体复合光导材料与器件的研究与发展 CAJ原文下载 PDF原文下载
　　【作者】 张翔宇. 汪茫. 陈红征. 阙端麟.
　　【刊名】 自然科学进展 1999年07期 编辑部Email
　　《中文核心期刊要目总览》来源期刊 “中国期刊方阵”入选期刊 ASPT来源刊 CJFD收录期刊
　　【机构】 浙江大学高分子科学与材料研究所硅材料国家重点实验室. 浙江大学高分子科学与材料研究所硅材料国家重点实验室 杭州 310027 .
　　【关键词】 有机半导体. 有机光导体. 复合材料.
　　【聚类检索】 同类文献 引用文献 被引用文献
　　【摘要】 通过不同结构、不同组成、不同功能的光导材料的复合,可以得到功能的协同增强、优化以及互补效应。采用分子内复合和分子间复合的方法,可以制备在可见光和近红外区域均有很高光敏性的新型有机光导材料。同时,研制使材料与器件交叉渗透,结合为一体的单层有机光导体,可大大地降低生产成本。
　　【光盘号】 SCTA99S5

　　【篇名】 值得关注的有机光伏电池材料 CAJ原文下载 PDF原文下载
　　【作者】 孙景志. 汪茫. 周雪琴. 王植源.
　　【刊名】 材料导报 2002年02期 编辑部Email
　　ASPT来源刊 CJFD收录期刊
　　【机构】 浙江大学材料与化工学院高分子系. 加拿大Carleton大学化学系 浙江大学硅材料国家重点实验室. 杭州 310027 .
　　【关键词】 有机半导体. 光电池. 复合材料. 聚集态结构. 激发态.
　　【聚类检索】 同类文献 引用文献 被引用文献
　　【摘要】 评述了近十年来有机光电池材料研究的最新进展,强调了材料复合对设计有机光伏电池的重要性,指出了有机半导体材料的分子聚集态结构与材料凝聚态结构的调控在改善器件性能上发挥的决定性作用,揭示了激发态过程与激发态性质的研究在提高光电转换效率上的意义,分析了有机光电池材料的发展前景。
　　【光盘号】 SCTB02S1

半导体基础知识

一:本征半导体

纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠 共价键的作用而紧密联系在一起。
共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。我们用晶体结构示意图来描述一下；如图（1）所示：图中的虚线代表共价键。
在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；
同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。
因此，在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。
二：杂质半导体

在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。
1.N型半导体
在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5各价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。
在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
2.P型半导体
在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。
三：异形半导体接触现象
在形成的P—N结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动：电子从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就是形成了电场(自建场).
它们的形成过程如图（1），（2）所示

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半导体的发展如下网站http://www.go-gddq.com/show.aspx?id=399634&cid=136
半导体发展年表请点击：
http://www.go-gddq.com/show.aspx?id=399634&cid=136&page=2