上海金樽格兰:半导体MOSFET和MESFET的区别是什么?

来源:百度文库 编辑:高校问答 时间:2024/04/29 17:32:42
请高手从器件材料和特性解释一下

MOSFET热稳定性更好、漏电流更小、逻辑摆幅更大、抗噪声能力更强。
  金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
  MESFET是一种由Schottky势垒栅极构成的场效应晶体管。它与p-n结型栅场效应晶体管相比,只是用金属-半导体接触势垒代替了p-n结栅,则热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱;但是金属-半导体接触可以低温形成,而且不仅可用Si,而且也能采用GaAs材料来制造出性能优良的晶体管。

半导体MOSFET
场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。
后面那个我不知道!!

MOSFET
abbr.metallic oxide semiconductor field effecttransistor[电子]金属氧化物半导体场效应晶体管
MES FET
<没找到!>